隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展(OpenAI宣布ChatGPT支持MCP和會(huì)議記錄)，碳化硅（SiC）因其高電壓、高溫、高頻特性，被廣泛用于新能源汽車(chē)、5G基站、工業(yè)電源等領(lǐng)域（Meta解鎖第2代Aria智能眼鏡細(xì)節(jié)：重約75克）。在器件制造過(guò)程中，碳化硅晶圓的完整性和表面質(zhì)量直接決定最終芯片的性能與良率（華為官宣 Pura 80來(lái)了 兩個(gè)半小時(shí)預(yù)約人數(shù)突破4萬(wàn)）。尤其是晶圓邊緣的“崩邊”問(wèn)題，逐漸成為影響加工良率和后續(xù)封裝可靠性的關(guān)鍵因素。

一、崩邊的原因

所謂“崩邊”（Edge Chipping），是指晶圓在切割、搬運(yùn)或研磨過(guò)程中，邊緣部分出現(xiàn)肉眼可見(jiàn)或微米級(jí)別的局部破損。這類缺陷在碳化硅晶圓中尤為顯著，尤其當(dāng)破損尺寸超過(guò)10μm時(shí)，會(huì)對(duì)后道光刻、金屬層沉積、焊線等工藝產(chǎn)生嚴(yán)重干擾，甚至引發(fā)器件擊穿、電性能下降等質(zhì)量問(wèn)題。

二、崩邊缺陷的微觀成因

1. 碳化硅材料特性

碳化硅為共價(jià)鍵合的寬禁帶半導(dǎo)體，硬度高（Mohs硬度約為9.5）、脆性大、斷裂韌性低（<3 MPa·m1/2），這使其在受到集中載荷時(shí)極易沿晶格方向產(chǎn)生裂紋。一旦裂紋擴(kuò)展至晶圓邊緣，就可能形成微米級(jí)的崩邊缺損。

2. 應(yīng)力集中現(xiàn)象

在晶圓切割（如多線切割、激光劃片）、倒角或搬運(yùn)夾具接觸點(diǎn)，機(jī)械應(yīng)力集中是崩邊發(fā)生的主要誘因。應(yīng)力集中點(diǎn)通常位于晶圓邊緣或倒角過(guò)渡區(qū)，當(dāng)施加的應(yīng)力超過(guò)碳化硅局部斷裂強(qiáng)度，就會(huì)引發(fā)微裂紋起始并迅速擴(kuò)展，導(dǎo)致晶粒剝落或微片崩落。

3. 表面缺陷的疊加效應(yīng)

晶圓表面的微觀缺陷如劃痕、晶體位錯(cuò)、雜質(zhì)夾雜，也會(huì)顯著降低邊緣抗裂性能。這些缺陷在機(jī)械應(yīng)力的作用下，會(huì)演化為起始裂紋源，進(jìn)一步放大崩邊的幾率和規(guī)模。

三、常見(jiàn)加工工序中易引發(fā)崩邊的環(huán)節(jié)

四、控制與緩解方案

1. 工藝優(yōu)化

* 切割參數(shù)控制：合理控制切割速度、下刀壓力與冷卻流量，避免熱裂紋和應(yīng)力波動(dòng)；
* 倒角精細(xì)化處理：采用更細(xì)粒徑的金剛石砂輪（如#2000以上），并施加適當(dāng)潤(rùn)滑冷卻，避免熱燒；
* 雙面研磨代替單邊加工：平衡上下應(yīng)力，降低翹曲與邊緣張力；
* 邊緣清洗工藝緩沖：引入低頻超聲或微氣泡清洗，替代高能量沖擊型清洗方式。

2. 晶圓邊緣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

* 倒角角度優(yōu)化：常見(jiàn)的倒角角度如 45° 雖便于加工，但會(huì)形成應(yīng)力集中區(qū)?？刹捎脧?fù)合倒角設(shè)計(jì)（如圓弧+微角）緩解裂紋源積聚；
* 保留保護(hù)層：加工前在晶圓邊緣涂覆臨時(shí)保護(hù)膠或光刻膠膜，能有效減緩應(yīng)力傳播；
* 晶圓薄化前邊緣預(yù)處理：對(duì)薄片晶圓，先進(jìn)行邊緣鈍化處理（如等離子體蝕刻）可抑制崩邊擴(kuò)展。

3. 缺陷檢測(cè)與質(zhì)量追溯

* 自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）：引入高分辨率顯微檢測(cè)設(shè)備，對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行 360°缺陷掃描；
* 激光共聚焦測(cè)厚：用于實(shí)時(shí)監(jiān)控崩邊位置的厚度變化，精準(zhǔn)量化缺損尺寸；
* 數(shù)據(jù)可視化系統(tǒng)：將缺陷數(shù)據(jù)與批次、機(jī)臺(tái)參數(shù)綁定，實(shí)現(xiàn)可追溯管理。

五、典型案例分析

某SiC芯片廠商崩邊控制優(yōu)化案例

背景：該廠在將碳化硅晶圓從6英寸擴(kuò)展到8英寸后，發(fā)現(xiàn)崩邊缺陷率從原先的1.2%上升至4.5%，導(dǎo)致芯片良率下降明顯。

問(wèn)題排查：

* Dicing設(shè)備切割輪更換周期過(guò)長(zhǎng)；
* 晶圓搬運(yùn)中吸盤(pán)吸力過(guò)高；
* 未采用邊緣緩沖保護(hù)膜。

優(yōu)化措施：

1. 調(diào)整切割速度從3mm/s降至1.5mm/s；
2. 引入新型多孔吸盤(pán)，減小邊緣沖擊；
3. 在切割前增加邊緣保護(hù)膜涂覆工藝。

結(jié)果：

崩邊率降至0.6%，月均合格晶圓提升12%，年節(jié)省成本約78萬(wàn)元。

六、技術(shù)參數(shù)建議

七、常見(jiàn)FAQ

Q1：10μm以下的崩邊是否影響芯片良率？
A1：通常10μm以下的邊緣缺損不會(huì)直接影響電性能，但若擴(kuò)展成裂紋，在高溫封裝或應(yīng)力測(cè)試下可能擴(kuò)大，形成擊穿路徑。

Q2：碳化硅崩邊與硅晶圓相比更難控制嗎？
A2：是的，碳化硅的硬脆性遠(yuǎn)高于硅晶圓，加工窗口更窄，尤其在薄片化趨勢(shì)下更需關(guān)注邊緣缺陷控制。

Q3：是否可以用等離子體拋光取代物理研磨？
A3：等離子體處理可用于邊緣鈍化和去微裂紋，但目前尚無(wú)法完全替代高精度物理研磨，更多作為輔助處理手段。

八、總結(jié)與展望

碳化硅晶圓邊緣崩邊雖然在微觀尺度，但卻對(duì)整體芯片可靠性和產(chǎn)線成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。通過(guò)深入理解其機(jī)械應(yīng)力成因、優(yōu)化工藝參數(shù)、引入智能檢測(cè)系統(tǒng)，可以有效降低崩邊缺陷率。未來(lái)，隨著8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)業(yè)化深入，邊緣加工與保護(hù)技術(shù)也將向更自動(dòng)化、智能化方向發(fā)展。